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N2 purge for OHB
OHB- over head buffer （ASNO300）
当制程到28nm及以下的时候，会增加多道往FOUP冲N2的工艺流程，来提升晶圆的良率，需要在OHB上面安装N2 purge 的设备 主要目的是降低FOUP内的O2和H2O含量，防止污染Wafer,减少FOUP中附着的残留化学物质和Particle,延长wafer的Q-Time 匹配Fab中OHB安装尺寸
当制程到28nm及以下的时候，会增加多道往FOUP冲N2的工艺流程，来提升晶圆的良率，需要在OHB上面安装N2 purge 的设备 主要目的是降低FOUP内的O2和H2O含量，防止污染Wafer,减少FOUP中附着的残留化学物质和Particle,延长wafer的Q-Time 匹配Fab中OHB安装尺寸
关键词：
N2 purge for OHB
所属分类：
全自动晶圆搬运系统
产品附件：
咨询热线：
N2 purge for OHB
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设备名称 |
N2 purge for OHB |
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型号 |
ASNO300 |
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工艺应用 |
适用于300mm晶圆OHB集成N2 Puge功能 |
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尺寸 |
293*288*378mm |
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N2标准 |
PN2 |
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SEMI标准 |
E84 S2 |
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通讯方式 |
支持SECS/HSMS |
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控制方式 |
Idle Purge, Pre Purge, Post purge |
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流量控制 |
0~60L/Min(MFC),多段流量控制( Recipe) |
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温湿度监测 |
具有进气口及出气口温湿度监测 Sensor |
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Air Filter |
Particle Retention>999999999 removal (>0.003um) |
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Carrier ID |
RFID Reader |
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设备特点 |
当制程到28mm及以下的时候,会增加多道往FOUP冲N2的工艺流程,来提升晶圆的良率,需要在○HB上面安装N2 purge的设备。主要目的是降低FOUP内的○2和H2O含量防止污染 Wafer,减少FOUP中附着的残留化学物质和 Particle,延长 wafer的Q-Tme匹配Fab中OHB安装尺寸 |
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